8) BJT 물리2 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 14:168) BJT 물리2 [라자비 전자회로]

BJT Large Signal Model BJT의 대신호 모델은 base와 emitter 사이에 다이오드가 놓여있는 형태로 볼 수 있고 다이오드에 걸리는 전압 V(BE)에 의해 종속되는 전류원 또한 존재합니다. current gain또한 똑같습니다. 밑은 잘못된 BJT 모델링 입니다. 위쪽에서 아래쪽으로 전류가 흘러야하는데 D2 다이오드가 저렇게 있으면 전류를 흘려 보낼 수 없습니다. Transconductance , g(m) > 얼마나 입력 voltage 신호를 잘 출력 current 신호로 변환하는지의 측정값 단위 S = A/V (1/옴) g(m) 은 V(BE)의 변화에 대한 I(C)의 변화를 나타날 때에도 사용되며 좌측 그래프를 보면 gm은 기울기로 볼 수 있으며, V(BE)가 커질수록 g(m)또한..

4) 다이오드 모델과 회로2 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 29. 11:244) 다이오드 모델과 회로2 [라자비 전자회로]

대신호 / 소신호 동작 > 지금까지는 다이오드에 임의의 큰 전압과 전류 변화를 허용해 지수 I/V 특성과 같은 일반적인 모델을 필요로했다.(대신호 동장) 하지만 분석이 어렵다는 단점이 있었다. ex) 순방향 바이어스인 3개의 동일한 다이오드는 V(out) = 3V0 = 2.4V의 전체 전압을 만들고 R1은 나머지 600mV를 유지한다. 1. V(out) = 2.4V가 되게 하는 역방향 포화전류 I(s1)을 결정하라. 2. 어답터의 전압이 3.1V인 경우 V(out)을 결정하라. >> 1. V(out)=2.4V이면 R1을 통하여 흐르는 전류는 I(x) = (V(ad)-V(out))/R1 = 6mA이고 각 다이오느는 I(x)를 흘리므로 I(x)=I(s)exp(V(D)/V(T)) 식에 의하여 구할 수 있다. ..

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