[DRAM] RAM 어레이 구조

Introduce 

오픈비트라인 구조와 폴리드 비트라인 구조와 같은 2개의 서로 다른 어레이 구조를 만듭니다. 이 2가지 어레이 구조의 차이점은 오픈 비트라인 구조 같은 경우 각각의 sense amplifier를 쓰는 비트라인 쌍이 분리된 어레 부분에 형성되어 있는 반면 폴리드 비트라인 구조의 경우 비트라인 쌍이 같은 어레이 부분에서 형성됩니다. 이러한 다른 구조들은 셀 사이즈와 ㄴ노이즈 여유도 측면에서 서로 다른 장단점을 가집니다. 

오픈 비트라인 어레이 구조 

위 그림은 오픈 비트라인 DRAM 어레이 구조의 개략적인 배치를 보여줍니다. 이 구조에서 셀들이 서로 빽빽이 들어차 있을 수 있습니다. 이 구조는 몇가지 단점을 가지는데, 그 중 하나는 오픈 비트라인 구조는 비트라인 쌍이 다른 어레이 부분에서 오고, 각각의 비트라인들이 폴리드 비트라인 구조와 비교했을때 노이즈에 민감하다는 것입니다. 또한 연결과 더미 어레이 부분때문에 커지는 면적은 이구조의 셀 크기의 장점을 약화시킵니다. 

폴리드 비트라인 어레이 구조 

위 그림은 폴리드 비트라인 구조 DRAM 어레이를 나타내고 있습니다. 이 구조에서 비트라인은 DRAM 어레이 구조를 통해 쌍으로 연결되어 잇으며 민감함 차동 sense amp의 핵심적인 요구사항들을 만족하고 있습니다. 오른쪽그림은 DRAM셀의 어레이는 줄어들었고 비트라인상의 모든 2개의 트랜지스터가 서로 겹쳐 있는 단순한 트위스팅 방식입니다. 더 발전된 폴리드 비트라인 방식은 이 구조의 노이즈면역 특성을 유지하면서 면적을 줄이기 위한 방향으로 연구되고 있습니다.