17) Op Amp1 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 10. 11. 01:3817) Op Amp1 [라자비 전자회로]

-Basic Op Amp op amp는 두개의 input의 차이를 증폭시킵니다. -Inverting and Nonlnverting op amp negative input이 ground되면 gain이 양수이다. >> noninverting positive input이 ground되면 gain이 음수이다. >> inverting - Virtual Short -Unity Gain Amplifier - Supply Voltage의 개념 - Noninverting Amplifier(virtual short인 경우) -만약 A(0)가 무한대가 아니라면 ? -Extreme Cases of R2 ( A(o) 무한대 ) -Inverting Amplifier - Another View of Inverting Amplifi..

11) BJT 증폭기3 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 23:5511) BJT 증폭기3 [라자비 전자회로]

Common-Emitter (CE) Topology 여기서common은 ground라 생각한다. 즉 그림과 같이 Emitter가 ground 처리된 모델을 말한다. Small Signal of CE Amplifier g(m)R(c) = I(c)R(c)/V(T) 이므로 gain이 커지려면 V(RC)를 키워야 하는데 이는 V(cc)를 키우는 것과 같다. I/O Impedances of CE Stage 출력 임피던스를 측정하고자 할대 입력 단자를 그라운드 시켜 V(in)=0이 되도록 한다. Early Effect를 고려한 CE amplifer r(o)가 추가되어 R(c)가 병렬적으로 형성되어 있어 gain 과 출력임피던스의 변화가 있지만 입력 임피던스R(in)는 변화 없다. Intrinsic Gain : 최대..

10) BJT 증폭기2 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 18:5910) BJT 증폭기2 [라자비 전자회로]

Biasing of BJT 트랜지스터는 무조건 바이어싱 되야 되는데 그이유는 1. 트랜지스터는 무조건 active mode로 동작해야된다. 2. 바이어싱에 따라 소신호 모델의 파라미터를 구해야 된다. g(m)/r(o)/r(𝝅) DC 바이어싱된 모델을 소신호 모델로 등가 시켜야한다. 간단히 표기 하기 위해 V(in) V(cc)를 다음과 같이 표기한다. Example of Bad Biasing 그림과 같이 베이스도 그라운드 에미터도 그라운드 처리 해버리면 V(in)=0이 되기 때문에 동작을 하지 않는다. Another Exmaple of Bad Biasing 이 회로는 DC적으로 문제가 없지만 AC적으로 바꿔줬을 때 문제가 생긴다. AC적으로 V(cc)가 그라운드 되므로 결론적으로 전 회로와 같이 V(in)..

9) BJT 증폭기 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 18:379) BJT 증폭기 [라자비 전자회로]

BJT Amplifiers : Overview 바이어싱이란 ? BJT에 관련된 전압과 전류를 구하는 과정이다. > 소신호 모델에 필요한 파라미터를 구할 수 있다. Voltage Amplifier 위의 그림에서 증폭값을 구하기위해서 조금 분리를 해보자면 다음과 같다. V(out) / V(in) = V1/V(in) * V(y)/V1 * V(out)/V(y) = R(in)/200+R(in) * Av * 8/R(out)+8 로 나타 낼 수 있다. 만약 여기서 ideal하다면, R(in)이 무한대이고, R(out)=0dlek. 앞과 뒤가 1로 수렴되므로 우리가 원래 알던 증폭 Av가 나온다. Inupt / Output Impedances의 결정 밑의 그림은 입력 / 출력 임퍼던스를 구하는 과정을 보이고 있다. 인..

8) BJT 물리2 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 14:168) BJT 물리2 [라자비 전자회로]

BJT Large Signal Model BJT의 대신호 모델은 base와 emitter 사이에 다이오드가 놓여있는 형태로 볼 수 있고 다이오드에 걸리는 전압 V(BE)에 의해 종속되는 전류원 또한 존재합니다. current gain또한 똑같습니다. 밑은 잘못된 BJT 모델링 입니다. 위쪽에서 아래쪽으로 전류가 흘러야하는데 D2 다이오드가 저렇게 있으면 전류를 흘려 보낼 수 없습니다. Transconductance , g(m) > 얼마나 입력 voltage 신호를 잘 출력 current 신호로 변환하는지의 측정값 단위 S = A/V (1/옴) g(m) 은 V(BE)의 변화에 대한 I(C)의 변화를 나타날 때에도 사용되며 좌측 그래프를 보면 gm은 기울기로 볼 수 있으며, V(BE)가 커질수록 g(m)또한..

7) BJT 물리 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 30. 13:367) BJT 물리 [라자비 전자회로]

Voltage-Dependent current Source > 전압에 비례해 전류를 발생시키는 즉, 전압 종속 전류원은 증폭기로 동작할 수 있습니다. 만약 KR(L)이 1보다 크다면 이 신호는 증폭되었음을 알 수 있습니다. 전류의 방향은 반시계방향이고 그로인한 V(out)= -K*V(in)*R(L) 전류는 기본적으로 전압이 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐르기 때문에(전류의 방향이반대이므로) V(out)의 부호가 음수이다. 이상적으로, 그림과 같이 BJT 트랜지스터는 1번,2번의 터미널의 전위차 즉, V1에 비례하여 전류가 3번에서 2번으로 I(s)*exp(V1/V(T)) 만큼 흐른다. 우리는 전류가 2번,3번 터미널의 전위차에 비례하지 않는 점을 주목해야 하는데 밑의 그래프를 참고해보자. 위의 그래프는 pn..

6) 다이오드 모델과 회로4 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 29. 13:546) 다이오드 모델과 회로4 [라자비 전자회로]

한계회로 사용자가 기지국에 가깝게 다가옴으로서 휴대전화에 의하여 수신되는 신호를 고려해보면 거리가 수 백 키로에서 수백 미터로 감소함으로써 신호크기는 신호가 수신기 회로를 통하여 이동 함으로써 회로를 '포화' 시킬 수 있을 만큼 크게된다. 즉 , 수신기의 적절한 점에서 진폭을 제한 해야 한다. 회로의 동작을 어떻게 제한할 것인가? 작은 입력 크기에 대하여 회로는 단순히 입력을 출력에 통과 시켜야 하며 (V(in) = V(out)) 입력 수준이 임계-한계를 넘어가면 출력을 유지 해야한다. 위와 같이 입력에 가해지는 신호는 +-V(L)에 잘려진 피크값을 가지고 출력에 나타난다. 이를 바탕으로 회로를 구현하면 V(in)이 +-V(L)에 접근함으로써 다이오드가 꺼져야 한다. 위와 같이 V(in) < V(D,on..

5) 다이오드 모델과 회로 3[라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 29. 13:205) 다이오드 모델과 회로 3[라자비 전자회로]

다이오드 응용 [반파 및 전파 정류기 ] 반파 정류기 그림과 같이 V(out)은 V(in)이 V(D,on)을 초과하기 전까지 0을 유지하는데 이점에서 D1은 켜지고 V(out) = V(in) - V(D,on)이다. V(in) > 회로는 아직 정류기로서 동작하지만 약간 낮은 직류 크기를 발생시킨다. 반파 정류기는 회로의 유용한 출력을 발생시키지 않습니다. 전지와 달리 정류기는 시가넹 따라 상당히 변하는 출력을 발생키기 때문입니다. 하지만 단순한 변화로 이러한 문제점을 해결 할 수 있습니다. 저항은 캐패시터로 대체된다. 이 회로의 동작은 정류기의 동작과 상당히 다른데 순방향 바이어스에서 D1에 대한 일정 전압 모델을 가정하면서 C1에 걸린 초기..

4) 다이오드 모델과 회로2 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 29. 11:244) 다이오드 모델과 회로2 [라자비 전자회로]

대신호 / 소신호 동작 > 지금까지는 다이오드에 임의의 큰 전압과 전류 변화를 허용해 지수 I/V 특성과 같은 일반적인 모델을 필요로했다.(대신호 동장) 하지만 분석이 어렵다는 단점이 있었다. ex) 순방향 바이어스인 3개의 동일한 다이오드는 V(out) = 3V0 = 2.4V의 전체 전압을 만들고 R1은 나머지 600mV를 유지한다. 1. V(out) = 2.4V가 되게 하는 역방향 포화전류 I(s1)을 결정하라. 2. 어답터의 전압이 3.1V인 경우 V(out)을 결정하라. >> 1. V(out)=2.4V이면 R1을 통하여 흐르는 전류는 I(x) = (V(ad)-V(out))/R1 = 6mA이고 각 다이오느는 I(x)를 흘리므로 I(x)=I(s)exp(V(D)/V(T)) 식에 의하여 구할 수 있다. ..

3) 다이오드 모델과 회로 [라자비 전자회로]
Circuit/전자회로2021. 9. 28. 15:163) 다이오드 모델과 회로 [라자비 전자회로]

다이오드는 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르드록 제어하는 반도체 소자를 말합니다. Anode쪽은 허용되는 전류 방향이고 Cathode쪽은 반대방향의 전류를 막습니다. 축전기를 예로서 역할을 하려면 다이오드 V(anode) > V(cathode)이면 켜져야 하고 , V(anode) 0 이면 순방향(Forward)바이어스 , V(D) >> V(A) > 0 이면 , D1은 켜지고 D..

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